Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
新藤 浩之*; 久保山 智司*; 池田 直美*; 大友 洋光*; 島田 修*; 平尾 敏雄; 松田 純夫*
Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6), p.63 - 66, 2004/10
最先端LSIにおいて単一プロトンが入射することにより形成されるバルク損傷が引き起こす新たなエラーの発生についてその観測と評価を実施した。対象とした素子は256MbitSDRAM及び16MbitSRAMである。これらの素子に対してプロトン照射を実施し、データ保持能力が照射前後でどの程度変化するのか測定した。その結果、従来知られているトータルドーズ効果等では説明できない新たな特性劣化現象を見いだした。この現象は動作温度にも大きく依存し、特に50
C以上の高温で動作させた場合、仕様で保証された以下に特性が劣化することが確認された。
Lee, K. K.; 大島 武; 伊藤 久義
Proceedings of 5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications, p.73 - 76, 2002/10
六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)エピタキシャル基板上にnチャンネル及びpチャンネルの金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製し、
線照射効果を調べた。照射は室温で行い、電気特性の変化を調べた。その結果、nチャンネルMOSFETは200Mrad(SiO
)まで、pチャンネルMOSFETは10Mrad(SiO)まで特性の変化は見られず、優れた耐放射線性を示した。sub-thershold特性を解析することで、線照射により発生する酸化膜中固定電荷,界面準位を見積もった。その結果、nチャンネルに比べpチャンネルの方が、これらの欠陥が多量に発生することが明かとなり、この結果としてpチャンネルの方が早く特性劣化が生ずると帰結できた。
福島 峰夫; 川妻 伸二; 和田 孝雄; 山本 隆一; 田中 康正
PNC TN8410 93-192, 129 Pages, 1993/05
原子力施設など放射線環境下で使用される電子部品や材料等について、多くの放射線照射試験が行われ、様々なデータが得られている。これらのデータは、原子力施設で使用される機器の設計の際、部品の選定や採用の可否の検討に極めて有効であることから、機器・材料の放射線劣化のデータを蓄積・活用するためのデータベースを構築・整備した。データベース構築にあたって、始めに予備検討を行い基本要件(利用対象者、収集するデータ範囲等)及び構築の条件(目的、機能等)を明らかにした。次に、データ入力のためのデータシートの検討を行った。以上の検討結果を基に、データベースシステムの試作を行った後、試作したシステムの課題点を抽出し、データベースシステムの改良を実施した。また、システムの改良と並行して、半導体及び高分子材料の放射線劣化のデータを収集・蓄積した。データベースに関する専門知識のない者でも簡単に操作できるデータベースシステムを構築することができ、平成5年7月現在で、半導体データ約1000件、高分子材料データ約500件を蓄積できた。構築したデータベースを用いて、放射線環境下で使用する電子機器の耐放射線性の評価を実施することができた。今後は放射線環境下で使用される機器の設計支援を行えるように、継続してデータの収集及びシステムの課題点の摘出・改良を行う。
梨山 勇
EMC: electro magnetic compatibility: solution technology: 電磁環境工学情報, (58), p.70 - 75, 1993/02
人工衛生や宇宙開発の信頼性はそこで使用する半導体部品の宇宙放射線による劣化や誤動作に左右されることが多い。半導体素子に対する宇宙放射線の効果は、トータルドーズ効果とシングルイベント効果に分けられる。MOS構造に対するトータルドーズ耐性の向上は酸化プロセスの低温化や酸化膜厚の低減などによって大巾に改善できようになった。これに対し、シングルイベント効果は耐性の評価が困難であるため、その耐性の向上は今後の研究開発課題となっている。日本原子力研究所高崎研究所の放射線高度利用研究施設のサイクロトロンとマイクロイオンビーム装置はこのための強力な手段となる。また、トータルドーズとシングルイベント両面で優れた耐性を期待できる新しい半導体材料としては、低原子番号広バンド巾半導体である炭化ケイ素が有望である。
